Atomic Layer Deposition ALD
Vue d'ensemble
Atomic Layer Deposition ALD
Description
L’Atomic Layer Deposition est un procédé de dépôt de couches minces atomiques (Atomic Layer Deposition). L’ALD est une forme particulière de CVD (Chemical Vapour Deposition).
La surface du substrat est exposée successivement à des précurseurs chimiques différents afin d’avoir des couches ultra-minces. Sa principale différence par comparaison à la CVD générique réside donc dans une introduction séquentielle, et non simultanée, des précurseurs dans la chambre de réaction.
Spécifications techniques - Informations
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La boîte à gants peut être intégré directement à l’ALD via un dispositif de transfert et servir d’enceinte de préparation d’échantillons sensibles avant chargement dans la chambre de traitement.
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Bâti extérieur avec interfaçage à la boîte à gants par bride inox.
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Un système ALD comprend en général un four pouvant aller jusqu’à 500°C, un générateur d’ozone et un générateur de plasma. Il permet la manipulation de précurseurs liquides et/ou solides.
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Fournisseur OEM et type ALD défini en partenariat avec nos clients.
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Bien que plus lent que les autres techniques TFD, le procédé apporte une excellente uniformité et une meilleure qualité structurelle grâce à un contrôle précis de l’épaisseur du film et de la composition chimique.
La technologie s’applique à des domaines variés : MEMS, OLEDS, conducteurs transparents, cellules solaires, cristaux photoniques, l’électroluminescence, les piles à combustible et les batteries. Elle permet notamment le dépôt de TiO2, Al2O3, SiO2, ZnO, MgO, NiO, SnO2, Nb2O5 couche par couche.
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Équipement et caractéristiques
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